Drivery tranzystorowe w konfiguracji wyjścia high & low side

Oferta firmy TME została rozszerzona o kolejny układ scalony IX2113 firmy IXYS. Jego zadaniem jest sterowanie bramką tranzystora typu MOSFET lub IGBT, gdzie ważna jest duża szybkość przełączania. Obwód wyjściowy to dwa niezależne kanały w stanie niskim i wysokim (high & low side). Oba o wydajności prądowej 2A.

Driver jest ekstremalnie wytrzymały i praktycznie odporny na stany nieustalone napięć du/dt. To wszystko dzięki zastosowaniu przez firmę IXYS procesu technologicznego: high-voltage BCDMOS na podłożu SOI (silicon on insulator, tj. krzem na izolatorze). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) to kluczowa technologia w układach scalonych mocy. W jednym chipie łączy zalety: układów bipolarnych do rozwiązań analogowych, układów CMOS do zastosowań cyfrowych, układów DMOS do wysokich napięć i mocy.

Inne cechy:

• Odporność na zmiany stanów nieustalonych napięcia du/dt
• Kompatybilność z logiką napięć pracujących w standardzie 3,3V
• UVLO (UnderVoltage LockOut) - blokada spadku napięcia na obu wyjściach stanie wysokim i niskim
   

Klasa napięciowa:	+600V
Wydajność prądowa:	-2A/+2A
Dopasowanie opóźnień propagacyjnych:	20ns

 
Zobacz IX2113 w wersji SMD i THT »

 

Symbol	Opis
IX2113B	IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2
IX2113G	IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2

2020071502 / 15.07.2020 / Komponenty elektroniczne / Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. /